وبلاگ

جهت یاب رادیویی یک تکنولوژی سری است که مرکب از علم و فرهنگ است. اگرچه تکنولوژی DF قابلیت های بسیاری را در بردارد، اما همچنین محدودیت هایی را ایجاد می کند. بنابراین بسیار اهمیت دارد که خریداران در هنگام خرید با اطلاع کافی بتوانند تصمیم گیری کنند.
تکنیک DF از زمان شناسایی امواج الکترو مغناطیسی وجود داشته است. در سال 18888 زمانی که هرتز بر روی رنج امواج دسی متریک کار می کرد به اطلاعات جالبی در مورد دایرکتیویتی آنتن ها دست یافت و در سال 1906 اولین کاربرد آن در یک روش DF خانگی آزمایش شد. واحدهای DF اولیه به صورت polarization direction finders بودند. آنها شامل یک دو قطبی مغناطیسی یا الکتریکی قابل چرخش بودند که محور آن در جهت امواج مغناطیسی یا الکتریکی قرار می گرفت.
در سال 1907 Bellini and Tosi اصول و قوانین کلی DF را کشف کردند که بعداً با نام «دو آنتن جهتی عمود برهم با زاویه سنجش قابل چرخش» شناخته شدند. با وجود این اختراع، جهت یاب های با قابلیت چرخش برای اولین برا به طور گستره در جنگ جهانی اول استفاده شدند.

جهت یاب های رادیویی در قرن 20 و با استفاده از خاصیت دو جهته آنتن های حلقوی برای نمایش قوس زاویه ای سیگنال های دریافتی، ساخته شدند. در سال 1919، F.Adcock از انگلستان یک نوع جدید از آنتن را به ثبت رساند که در آن از دو قطبی یا تک قطبی (به جای حلقه) با دو فاز متفاوت برای به دست آوردن خصوصیات دو جهته استفاده شد. از آنجا که این آنتن های جفت شده Adcock از استوانه های عمودی بهره می جست در آن جزء به طور افقی پلاریزه شده تقریبا کنار گذاشته می شد و در امواج هوایی، تنها جزء دلخواه و عمودی آن به کار گرفته می شد. اختراع این آنتن جهت یاب توسط Adcock، باعث جهش بزرگی در زمینه هنر و تکنولوژی جهت یاب های رادیویی شد که این حرکت روبه جلو باعث استفاده روزافزون از آن گشت. اگرچه آنتن های DF حلقوی هنوز در برخی موارد استفاده می شود اما استفاده از آنها تنها زمانی قابل توجیه است که نیاز به کوچک بودن آنتن آنچنان برجسته باشد که مشکلات ذاتی آنتن حلقوی باعث گذشتن از آنها شود.
هر دو سیستم Adcock و حلقوی به طور ویژه و روتین در سیستم های جهت یاب با تکنیک Watson-Watt استفاده می شوند. این تکنیک که توسط Sir R.A Watson-Watt در انگلستان و در سال 1920 به کار گرفته شد اساس اکثر محصولات DF می باشد. تکنیک DF واتسون وات در طول زمان باقی مانده است و یکی از مؤثرترین تکنیک ها برای کاربری های متحرک و ثابت DF از فرکانس های بسیار پایین تا محدوده UHF می باشد. در سال 1931، آنتن های  Adcock برای اولین بار در انگلستان و آلمان به کار رفتند. اولین جهت یاب های با موج کوتاه با اصول دوپلر در سال 1941 ساخته شد. اولین جهت یاب ها برای استفاده در سیستم های راداری با فرکانس 3000 مگاهرتز در سال 1943 ساخته شد. از سال 1950 تمام فرودگاه های دنیا به سیستم های مسیریاب دوپلر VHF/HF مجهز شدند. سرانجام در سال 1970، تکنیک های دیجیتال به سیستم های مسیریاب فوق راه پیدا کردند.
در این سیمنار، ابتدا در فصل اول، به طراحی، انتخاب، استفاده و گسترش یک آنتن جهت یاب امواج VHF/UHF دی پل ادکاک سایت ثابت پرداخته می شود. در فصل دوم، موارد متعددی را که کاربران باید هنگام انتخاب و خرید سیستم جهت یاب رادیویی در نظر داشته باشند بیان می شود. سپس در فصل سوم، ملاحظات مختلف در ارتباط با تعریف و اندازه گیری حساسیت آنتن ها و سیستم های DF جهت یاب ادکاک متحرک بحث شده و سپس در فصل چهارم، دقت زاویه ای آنتن های جهت یاب ادکاک متحرک و سیستم های آن مورد بررسی قرار می گیرد. در فصل پنجم، انواع مدل های آنتن های DF مورد بررسی قرار گرفته و در نهایت در فصل ششم، ی کلی بر نتایج به دست آمده از این سمینار خواهم داشت.

:

سیستم های كنترل مدرن روز به روز به جهت احتیاج به عملكرد بهتر در صنایع مدرن، پیچیده تر می گردند. از طرف دیگر، خرابی اجزاء سازنده مانند خرابی محرك ها، سنسورها و كنترل ها اجتناب ناپذیر می باشد. خطاها می توانند دینامیك را تغییر دهند و باعث كاهش عملكرد سیستم و یا حتی ناپایداری آن گردند. بنابراین مقاوم بودن در برابر خطا در طراحی سیستم كنترل لازم به نظر می رسد. یك سیستم كنترل مقاوم در برابر خطا سیستم كنترلی می باشد كه قابلیت تطبیق با خطای سیستم به صورت اتوماتیك را داشته باشد و كل سیستم را پایدار نگه دارد و در هنگام بروز خطا در اجزاء، عملكرد مطلوبی داشته باشد.

روش های طراحی مقاوم در برابر خطا می توانند به صورت گسترده ای به دو نوع تقسیم گردند: روش های غیرفعال (پسیو) مانند روش های تطبیق خطای مقاوم و غیره، و روش های فعال (اکتیو) مانند جایابی مقادیر ویژه، مدل های چندگانه، روش های تطبیقی، شبه معکوس و غیره. در روش پسیو، کنترل ثابتی در طول حالت نرمال و دارای خطا به کار گرفته می شود، و روش های ارزیابی عملكرد مختلفی مانند تابع هزینه می توانند جهت توصیف عملكرد سیستم های حلقه بسته با بهره كنترلی ثابت مورد استفاده قرار گیرند. از طرف دیگر، سیستم مقاوم در برابر خطا بر پایه روش های اكتیو می توانند برای خطاها عوض گردند كه این عمل یا با انتخاب یك قانون كنترلی از پیش محاسبه شده انجام می پذیرد و یا توسط ترکیب یک استراتژی کنترل جدید بهنگام صورت می گیرد. در این پژوهش از طراحی کنترل مقاوم در برابر خطای اکتیو استفاده شده است.
تقریبا تمام سیستم های كنترل دارای محدودیت هایی می باشند، برای مثال، ورودی ها همیشه مقادیر كمینه و بیشینه ای دارند. همچنین، وقتی محركی درست عمل نمی كند، به منظور دستیابی به اهداف كنترلی مانند ردیابی، فشار بیشتری بر روی محرك های سالم دیگر اعمال می گردد، كه می تواند منجر به اشباع محرك ها گردد. بنابراین مدنظر قرار دادن محدودیت ها مانند محدودیت های ورودی در طراحی كنترل مقاوم در برابر خطا لازم به نظر می رسد. در این پژوهش تكنیك كنترل مدل پیش بین MPC به عنوان استراتژی كنترل به منظور در نظر گرفتن محدودیت ها به كار گرفته شده است . كنترل مدل پیش بین یك نوع از كنترل است كه عمل كنترلی فعلی از حل بهنگام یك مسئله كنترل بهینه حلقه باز افق محدود در هر فاصله نمونه برداری، با استفاده از حالت فعلی پلنت به عنوان مقادیر اولیه ، بدست می آید؛ عمل بهینه سازی یك ترتیب كنترل بهینه را نتیجه می دهد و اولین كنترل در ترتیب به پلنت اعمال می گردد. یكی از مهمترین مزیت های كنترل مدل پیش بین توانایی آن در لحاظ نمودن محدودیت ها بر روی كنترل ها و حالت ها می باشد. همچنین، كنترل مدل پیش بین مقداری توانایی مقاوم بودن در برابر خطا را دارا می باشد.
در این پژوهش، یك ساختار كنترل مقاوم در برابر خطا اكتیو بر پایه تركیب كنترل مدل پیش بین با سیستم آشكار سازی و تشخیص خطا به منظور تطبیق خطا، طراحی گشته است. سیستم آشكار سازی و تشخیص خطا بر پایه تركیب روش های آماری مانند PCA و ICA جهت کاهش ابعاد داده و شبکه نرو-فازی به منظور ترکیب داده ها و آشکارسازی و تشخیص و طبقه بندی خطاها، می باشد. اطلاعات خطا توسط ماژول آشکارسازی و تشخیص خطا به دست می آید و سپس به منظور تصحیح فرمولاسیون کنترل مدل پیش بین مانند مدل داخلی به منظور افزایش قابلیت مقاوم بودن در برابر خطا به كار می رود.

چندی است که بازارهای مخلتف برای مبادله انرژی الکتریکی، خدمات انتقال و خدمات جانبی مرتبط با انرژی نظیر رزرو انرژی الکتریکی، توان راکتیو، کنترل فرکانس و … در گوشه و کنار دنیا رواج پیدا کرده است. منظور از شکل گیری بازار، به وجود آمدن ساز و کاری برای خرید برق از تولید کنندگان این کالا از طریق برگزاری مناقصه و فروش آن به خریداران – درصورت وجود- از طریق مزایده یا برقراری
محیطی برای حراج آزاد برق است. وقوع چنین روندی در زمینه کالای برق باعث تغییر ات اساسی در ساختار برنامه ریزی، بهره برداری و تصمیم سازی در زمینه صنعت برق شده است.

شکل گیری هر یک از این بازارها با هدفی خاص بوده و منحصر به هر منطقه می باشد اما دلیلی که به طور عمده در شکل گیری بازارهای مختلف قابل مشاهده است، کمبودها و نواقصی است که درگیر مسئله تامین انرژی بوده است. کمبودهایی که از جمله آنها می توان به نقص 

سرمایه گذاری های بخش خصوصی، نبود راهکاری مناسب جهت جذب سرمایه های بخش خصوصی، چالش های سیاسی، فرهنگی

و منطقه ای در تصمیم سازی ها و برنامه ریزی های بلند مدت شبکه و عدم شفافیت در روند مالی انرژی الکتریکی از سرمایه گذاری تا تامین انرژی الکتریکی مصرف کننده های نهایی اشاره کرد. لذا شکل گیری بازارهای مختلف در هر کجای دنیا با هدف برطرف نمودن این نواقص و سایر نواقص موجود در سیستم بهره برداری سنتی مد نظر قرار گرفت.
هدف
در این بررسی این تاثیرات اجرای بازارهای رزرو در بازار انرژی در دو قسمت تاثیرات فنی و تاثیرات اقتصادی تقسیم شده است. تاثیرات فنی عبارتند از تغییرات به وجود آمده در شرایط بهره برداری شبکه و پارامترهای مرتبط با بهره برداری کوتاه مدت یا بلند مدت شبکه . تاثیرات اقتصادی به دسته ای از پارامترهای اقتصادی بهره برداری از شبکه اطلاق می شود که ا ز اصول اقتصادی حاکم، رفتار بازیگران و عملکرد بازار تاثیر می گیرند. مواردی نظیر قیمت محصول یا سود شرکت کنندگان در بازار یا قدرت بالقوه بازار برای یک یا چند تولید کننده خاص، سه نمونه بارز از مشخصات اقتصادی هر بازار است. آنچه که در این پروژه مورد توجه قرار گرفته است، بررسی اثر متقابل بازارهای مختلف انرژی و خدمات جانبی در شرایط فنی و اقتصادی به وجود آمده در سیستم قدرت است. در این بررسی ساختارهای مختلف بازارهای انرژی و خدمات جانبی مورد بررسی قرار می گیرند و با بهره گیری از پارامترهای فنی و اقتصادی ذکر شده، به مقایسه
تاثیر متقابل بازارها در نتایج فنی و اقتصادی پرداخته می شود.

مبدل های چند سطحی اولین بار در سال 1975 معرفی شدند. با توجه به افزایش تقاضا برای مبدل های با توان بالا، ولتاژ بالا و همچنین با در نظر گرفتن اینکه کلیدهای نیمه هادی نمی توانند در ولتاژها و توان های با رنج های بالا کار کنند تمایل به استفاده از مبدل های چند سطحی افزایش یافته است. گسترش استفاده از انرژی های نو و تجدیدپذیر مانند پیل های سوختی، سلول های خورشیدی و غیره… که عموماً دارای سطح ولتاژ dc با مقدار پایینی هستند استفاده از مبدل های چند سطحی را به عنوان یک تکنولوژی جدید برای تبدیل این انرژی ها به شکل موج با دامنه دلخواه بیشتر افزایش داده است. در حال حاضر توجه به مبدل های چند سطحی بیشتر و بیشتر شده است و این نوع مبدل ها پتانسیل خوبی برای توسعه و گسترش دارند.
یک مبدل چند سطحی به عنوان یک مبدل الکترونیک قدرت وسیله ای است که می تواند یک شکل موج پله ای دلخواه ولتاژ / جریان ac را با استفاده از چندین منبع ولتاژ / جریان dc به عنوان ورودی تولید نماید. براساس این تعریف مبدل های چند سطحی به دو دسته اصلی تقسیم می شوند:
– مبدل چند سطحی از نوع ولتاژ که در آن با استفاده از چندین منبع ولتاژ dc، ولتاژ ac مورد نظر تولید می شود.
– مبدل چند سطحی از نوع جریان که در آن با استفاده از چندین منبع جریان dc، جریان مورد نظر ac تولید می شود.

مهمترین نوع مبدل چند سطحی که بیشتر در مقالات تشریح می شود مبدل منبع ولتاژ است، اما در بعضی از کاربردها مانند فیلترهای اکتیو موازی، جبران کننده VAr و غیره نیاز به مبدل چند سطحی از نوع منبع جریان است.
2- مبدل چند سطحی از نوع ولتاژ
در این نوع مبدل ها ولتاژ خروجی مطلوب با استفاده از چندین منبع ولتاژ dc با اندازه های کوچک به عنوان ورودی ایجاد می شود. با افزایش تعداد منابع ولتاژ dc در سمت ورودی، می توان در خروجی مبدل، ولتاژ با شکل موج نزدیک به سینوسی تولید کرد. شکل (1) ساختار پایه یک مبدل چند سطحی از نوع منبع ولتاژ را نشان می دهد. این مدار از 4 کلید قدرت و یک منبع ولتاژ dc تشکیل شده است. در این مبدل هر کلید از یک IGBT و یک دیود با اتصال موازی – معکوس تشکیل شده است. در صورتی که بار مبدل، اهمی خالص باشد نیازی به دیودها نخواهد بود. این مبدل قادر است سه سطح ولتاژ (Vdc،- 0، +Vdc) در ترمینال های خروجی خود ایجاد کند. در صورتی که کلیدهای S1 و S4 روشن باشند ولتاژ خروجی مبدل Vdc+ و اگر کلیدهای S2 و S3 روشن باشند ولتاژ خروجی Vdc- خواهد شد. جهت ایجاد ولتاژ صفر در خروجی مبدل باید کلیدهای S1 و S2 و یا S3 و S4 به طور همزمان روشن شوند. توجه شود که اگر کلیدهای واقع در یک بازوی پل، به طور همزمان روشن شوند منجر به اتصال کوتاه شدن منبع ولتاژ dc ورودی خواهد شد. شکل(2) یک نمونه از ولتاژ خروجی این مبدل را نشان می دهد. مطابق شکل(2) در این مبدل هر عنصر کلیدزنی در هر سیکل از ولتاژ خروجی فقط یک بار سوئیچ می شود در نتیجه تلفات کلیدزنی به طور قابل ملاحظه ای کاهش خواهد یافت. این روش کلیدزنی تحت عنوان کلیدزنی فرکانس پایه معروف است.
3- مبدل چند سطحی از نوع جریان
در این نوع از مبدل ها، از منبع جریان به جای منبع ولتاژ در ورودی های مبدل استفاده می شود. توجه شود که معمولاً برای ساخت منبع جریان dc از سلف های بزرگ استفاده می شود در صورتی که در منابع ولتاژ از خازن های بزرگ استفاده می کنند. شکل(3) یک نمونه از مبدل های چند سطحی از نوع منبع جریان را نشان می دهد. مبدل نشان داده شده در شکل (3) قادر است سه سطح جریان (Idc+، 0، -Idc) را در خروجی خود تولید کند. نحوه عملکرد این مبدل مشابه مبدل نشان داده شده در شکل (1) است. با توجه به محدودیت هایی که در اندازه منابع dc جریان در عمل وجود دارد از این نوع مبدل ها، در عمل کمتر و یا استفاده نمی شود. بنابراین در این تحقیق، تمرکز بر روی مبدل های چند سطحی از نوع ولتاژ خواهد بود.

:
هدف از انجام این پروژه دستیابی به تقویت کننده ای با حاصل ضرب گین در پهنای باند بزرگتر با بهینه سازی روش های موجود و حتی الامکان تلاش برای یافتن راهکارهای جدید بوده و از مهمترین مسائل مورد توجه همواری و خطی بودن اندازه و فاز بهره در سراسر پهنای باند است.
در فصل اول این گزارش ی بر تقویت کننده های پهن باند با تأکید بیشتر بر تقویت کننده های گسترده موج متحرک ارائه شده و سپس رویه کلاسیک طراحی یک تقویت کننده گسترده موج متحرک که پایه و اساس تمام کارهای بعدی در این زمینه می باشد، به تفصیل بیان شده است. فصل دوم شامل سایر روش های طراحی و متدهای مهم بهینه سازی تقویت کننده های گسترده موج متحرک می باشد. یکی از مهمترین نیازهای یک تقویت کننده گسترده زیرساخت ادوات نیمه هادی (ترانزیستور)، زیرلایه مورد استفاده برای مدار، خطوط انتقال و در نهایت نحوه پیاده سازی و ساخت مدار است. بدین معنی که اولاً باید بتوانند در سراسر پهنای باندی که تقویت کننده گسترده در آن کار می کند (چند ده گیگا هرتز) عملکرد مطلوبی ارائه دهند یعنی حداقل ممکن حساسیت را به تغییرات فرکانس داشته باشند. خطوط انتقال به کار رفته (مایکرواستریپ، CPW و غیره) نیز باید حداقل پراش، تلفات و تفاوت فاز را به مدار تحمیل نمایند. زیر لایه ای که مدار روی آن پیاده سازی می شود نباید در فرکانس های بالا از خود اثرات تخریبی از جمله اتلاف و تضعیف سیگنال بروز دهد. در نهایت پیاده سازی مدار باید با حداقل ممکن طول و تعداد اتصالات انجام شود که تکنولوژی فلیپ چیپ و CSP برای این کار پیشنهاد می شود. به دلیل اهمیت و

 تأثیر زیاد این مسائل زیرساختی که از اولین مراحل طراحی گرفته تا شبیه سازی و ساخت یک DA کاملاً نمایان هستند، فصل سوم را به بحث پیرامون این موضوعات اختصاص داده ایم. تا اینجا مطالب لازم برای ایجاد دید روشن از مسئله کاملاً در گزارش درج شده است.

فصل آخر با طراحی مدار اولیه به روش کلاسیک آغاز و در ادامه روش نوینی برای بهینه سازی عملکرد مدار ارائه شده است. روش ساده ای که بدون افزودن حتی یک المان به مدار اولیه در عین بهبود گین از نقطه نظر اندازه و هموار بودن و نیز افزایش پهنای باند، عدد نویز را هم کمتر می کند و این همه فقط به قیمت افزایش بسیار کم تأخیر گروهی رخ می دهد. در ضمن با اضافه کردن فقط یک ترانزیستور دیگر به خروجی مدار به شکل تقویت کننده درین – مشترک و ایجاد تطبیق به یک روش خاص (استفاده از سلف هائی هم اندازه آخرین سلف مدار قبلی) اندازه گین باز هم افزایش یافته است. روشی که در نوع خود جدید است.
در نتیجه با استفاده از این سه مورد نوآوری به تقویت کننده ای دست یافته ایم که اندازه بهره آن به طور متوسط 10dB نسبت به مدار کلاسیک بالاتر است و با توجه به اینکه بهره مدار کلاسیک در بالاترین حد خود 7/4273dB می باشد پس اندازه بهره بیش از 130 درصد بهبود یافته. عدد نویز در تقویت کننده کلاسیک از 3/7dB در فرکانس های پایین شروع می شود. سپس در فرکانس 43/4GHz به حداقل مقدارش یعنی 3/1dB می رسد. در حالی که در تقویت کننده جدید عدد نویز از 3/5dB در فرکانس های پایین شروع می شود، در فرکانس 31GHz به حداقل مقدارش یعنی 1/343dB می رسد و تا فرکانس 48/34GHz از مورد کلاسیک کمتر است. یعنی در پهنای باند بیش از 48GHz به طور متوسط بیش از 1dB بهبود عدد نویز (معادل با حدوداً 33 درصد بهینه سازی عدد نویز).
بهره تقویت کننده کلاسیک در فرکانس 1GHz در بالاترین حد خود یعنی 7/4273dB قرار دارد و در فرکانس حدود 32/5GHz به 4/42dB می رسد. یعنی پهنای باند 3dB تقویت کننده کلاسیک برابر 32/5 گیگا هرتز است. ولی گین تقویت کننده جدید در 1GHz برابر 8dB است و در 58/7GHz به 5dB می رسد. پس پهنای باند از 32 به 58 گیگاهرتز رسیده است. یعنی بهبودی معادل 81/2 درصد در پهنای باند.
نکته جالب توجه دیگر این است که روش جدید، در عین اینکه عملکرد تقویت کننده را در سراسر پهنای باند فرکانسی از پایین ترین تا بالاترین بسامد بهبود می بخشد، در فرکانس های میانی (با بیش از 30GHz پهنای باند میانی از 17GHz تا 48GHz) پاسخی نزدیک به یک حالت ایده آل از خود بروز می دهد. با قرار دادن یک فیلتر میان گذر در این محدوده فرکانسی تقویت کننده گسترده میان گذری با گین بالا و هموار و عدد نویز پایین حاصل شد.
پس از آن برای دستیابی به پاسخ پایین گذر هموارتر، بخش های آخر فصل چهارم به روش های غیرکلاسیک طراحی DA می پردازد. در این قسمت با استفاده از دو متد مختلف، تقویت کننده های گسترده ای با پاسخ پایین گذر طراحی شده اند و بعد با بهینه سازی پاسخی بسیار هموار در محدوده فرکانس پایین به دست آمده است. نکته ارزشمند در طراحی این تقویت کننده ها اعمال عملکرد فیلتر پایین گذر به ساختار خود DA و کوچک سازی مدار است.
در نهایت پس از نتیجه گیری، پیشنهادی مبنی بر اجرای یک پروژه با همکاری گروهی متخصصان تقویت کننده های گسترده از یک سو و ادوات نیمه هادی از سوی دیگر با هدف طراحی و ساخت DAهای پیشرفته در ایران ارائه شده است. پیشنهاد دوم طراحی و بهینه سازی فیلتر میان گذری است که بین 17 تا 48 گیگاهرتز دارای پاسخ ایده آلی با حداکثر درجه همواری گین و حداقل تلفات باشد.